Фториды InF3 в Минске

Модель:tm2409593
0 р.

Фториды InF3 — трифторид индия для оптических и химических применений

Фторид индия InF — неорганическое соединение с молекулярной массой 171,82 г/моль, относящееся к классу фторидов p-элементов. В промышленных поставках встречается в виде порошка белого или светло-серого цвета с плотностью 4,71 г/см и температурой плавления около 1170 C. Материал характеризуется низкой растворимостью в воде (0,05 г/100 мл при 20 C) и умеренной гигроскопичностью, что требует соблюдения герметичности упаковки при длительном хранении.

Ключевая особенность InF — широкая полоса пропускания в ИК-диапазоне (до 14 мкм) и высокий показатель преломления (n 1,72 на длине волны 1 мкм). Это делает трифторид индия востребованным компонентом в производстве фторидных оптических стекол, легированных световодов и мишеней для вакуумного напыления. В отличие от оксидных соединений, InF обеспечивает меньшие потери на рассеяние в среднем ИК-диапазоне, что критично для лазерной оптики и тепловизионных систем.

Технические характеристики и чистота

Промышленно выпускается трифторид индия марок ИФ-1 (чистота 99,9 %) и ИФ-2 (чистота 99,99 %). Основные контролируемые примеси — железо, кремний, свинец и щелочные металлы, суммарное содержание которых в марке ИФ-2 не превышает 0,01 %. Гранулометрический состав варьируется от 5 до 50 мкм в зависимости от метода осаждения — гидрофторидного или термического разложения гексагидрата.

ПараметрИФ-1ИФ-2Метод контроляПрименение
Массовая доля InF, %99,999,99Химический анализОптическое стекло
Содержание Fe, ppm 50 10Атомно-эмиссионная спектрометрияЛазерные среды
Содержание Si, ppm 30 5Масс-спектрометрияНапыление
Удельная поверхность, м/г1,5–3,00,8–1,5БЭТКатализ

Применение в промышленности

Основные направления использования трифторида индия:

  • Производство фторидных стекол для ИК-оптики — в составе систем InF–BaF–ZnF для тепловизоров и спектрометров;
  • Изготовление мишеней для магнетронного напыления тонких пленок InF в оптоэлектронике;
  • Легирование фторидных световодов для снижения потерь на длинах волн 2–5 мкм;
  • Синтез фторидных керамик для лазерных матриц, активированных редкоземельными ионами;
  • Каталитические системы фторирования органических соединений в химической промышленности;
  • Компонент электролитов для литий-ионных аккумуляторов с фторидным анодом.

В оптическом производстве InF применяется при варке стекол в платиновых тиглях в атмосфере осушенного аргона при температуре 850–950 C. Материал требует контроля влажности в рабочей зоне не выше 10 ppm, поскольку гидролиз приводит к образованию оксифторидов и снижению прозрачности в ИК-области. Для вакуумного напыления рекомендуется предварительный прогрев мишени при 200–250 C для десорбции адсорбированной влаги.

Условия поставки и хранения

Трифторид индия поставляется в полиэтиленовых вкладышах с двойной герметизацией, помещенных в стальные барабаны или пластиковые контейнеры. Срок хранения — 12 месяцев с даты изготовления при температуре не выше 25 C и относительной влажности не более 60 %. При нарушении герметичности упаковки материал подлежит повторной сушке при 150 C в вакууме в течение 4 часов.

Вопросы и ответы

Чем InF отличается от оксида индия InO?

Трифторид индия имеет более широкое окно прозрачности в ИК-диапазоне (до 14 мкм против 8 мкм у оксида) и меньший коэффициент термического расширения. Это определяет его преимущество в фторидных оптических системах, работающих в среднем ИК-диапазоне.

Какая чистота InF требуется для оптического стекла?

Для оптических применений используется марка ИФ-2 с чистотой 99,99 %. Содержание переходных металлов, особенно железа, должно быть не более 10 ppm, поскольку они создают полосы поглощения в видимой и ближней ИК-области.

Как хранить трифторид индия?

Материал хранят в герметичной таре при температуре до 25 C и влажности не более 60 %. После вскрытия упаковки рекомендуется использовать продукт в течение 30 суток либо проводить повторную вакуумную сушку.

В каких процессах напыления применяется InF?

Трифторид индия используется в магнетронном распылении и электронно-лучевом испарении для формирования просветляющих и защитных покрытий на элементах ИК-оптики. Оптимальная скорость осаждения — 0,5–2 нм/с при давлении аргона 0,1–0,5 Па.