Иодиды InI3 в Минске

Иодид индия(III) InI — технические характеристики и применение

Иодид индия(III) InI — неорганическое соединение, представляющее собой кристаллический порошок светло-жёлтого цвета. Относится к группе трииодидов металлов III группы периодической системы. В промышленных поставках доступен в виде гранул, порошка или прессованных таблеток с содержанием основного вещества не менее 99,99% (4N) по металлической основе. Материал гигроскопичен, требует хранения в герметичной таре в атмосфере инертного газа или в эксикаторе.

Физико-химические параметры InI

Температура плавления соединения — 210 C, температура кипения — около 400 C с частичной диссоциацией. Плотность кристаллической фазы составляет 4,69 г/см. В водных растворах InI гидролизуется с образованием гидроксида индия, поэтому рабочие среды с его участием готовят на основе безводных растворителей либо в кислой среде. Растворимость характерна для этанола, диэтилового эфира и других полярных органических растворителей.

Молекулярная масса — 495,44 а.е.м. Соединение проявляет свойства кислоты Льюиса, способно образовывать комплексные соединения с галогенид-ионами, фосфинами и аминами. Координационное число индия в кристаллической решётке — 6, что определяет октаэдрическую геометрию ближайшего окружения.

Технологические особенности очистки

Основное промышленное назначение InI — промежуточный продукт в процессе зонной очистки индия. Метод основан на существенном различии давлений паров иодида индия и иодидов примесных металлов. При температуре 350–450 C в вакуумной установке происходит возгонка InI, тогда как примеси цинка, кадмия, свинца и олова остаются в кубовом остатке. Последующее термическое разложение очищенного иодида при 800–900 C позволяет получить металлический индий с чистотой 99,9999% (6N) и выше.

Процесс иодидного рафинирования применяется для получения индия особой чистоты, используемого в производстве:

• полупроводниковых соединений AB (InAs, InSb, InP);
• мишеней для магнетронного напыления в оптоэлектронике;
• легирующих добавок для кремниевых и германиевых подложек;
• припоев для микроэлектроники с контролируемым содержанием примесей;
• фоточувствительных элементов на основе InGaAs.

Применение в синтезе и оптоэлектронике

В лабораторной практике InI востребован как исходный реагент для получения тонкоплёночных структур иодида индия методом термического испарения в вакууме. Такие плёнки применяются в рентгеновских детекторах и сцинтилляционных экранах благодаря высокому атомному номеру индия (Z=49), обеспечивающему эффективное поглощение рентгеновского излучения.

В органическом синтезе InI используется как катализатор реакции Дильса–Альдера, а также в реакциях сочетания с образованием углерод-углеродных связей. Каталитическая активность соединения сопоставима с трифлатом индия, однако иодид менее чувствителен к влаге и позволяет проводить процессы в более мягких условиях.

Меры безопасности при работе

Иодид индия(III) относится к веществам умеренной опасности (3 класс по ГОСТ 12.1.007). При попадании на кожу возможны раздражения, при вдыхании пыли — поражение дыхательных путей. ПДК в воздухе рабочей зоны для соединений индия — 0,1 мг/м. Работы проводят в вытяжном шкафу с использованием СИЗ: перчатки из нитрила, защитные очки, респиратор типа FFP2 при операциях пыления.

Условия хранения и транспортировки

Материал поставляется в стеклянных ампулах под вакуумом или в полиэтиленовых контейнерах с двойной герметизацией. Срок хранения при температуре не выше 25 C и относительной влажности не более 50% — 12 месяцев с даты изготовления. Недопустим контакт с окислителями и сильными кислотами — возможна экзотермическая реакция с выделением молекулярного иода.

Вопросы и ответы