Мышьяк в порошке As в Минске

Модель:tm2409816
0 р.

Мышьяк в порошке As: технические характеристики, марки и применение

Мышьяк в порошке As — элементарный полуметалл (химический элемент 15-й группы, атомный номер 33, атомная масса 74,9216 а.е.м.), выпускаемый в дисперсной форме. Порошковый мышьяк получают возгонкой (сублимацией) технического мышьяка с последующей конденсацией паров в инертной среде или размолом литого металла. Стандартный товарный продукт содержит не менее 99,0–99,99 % As; основная примесь — сера, сурьма, свинец, железо. Порошок серо-стального цвета с металлическим блеском, склонен к окислению на воздухе с образованием поверхностной плёнки AsO.

Материал относится к веществам 1-го класса опасности (ГОСТ 12.1.007), обладает высокой токсичностью и канцерогенным действием. Работа с порошком As ведётся в герметичных боксах с вытяжной вентиляцией, средствах индивидуальной защиты органов дыхания (респираторы класса FFP3, изолирующие противогазы) и кожи. Транспортировка — в герметичной таре (стальные барабаны, полиэтиленовые контейнеры) с маркировкой «Яд».

Физико-химические параметры порошка As

ПараметрЗначениеМетод контроляВлияние на процессПримечание
Массовая доля As99,0–99,99 %титрование, ICP-MSопределяет выход целевого продуктапо ТУ изготовителя
Дисперсность (фракция)40–200 мкмситовой анализскорость растворения и возгонкивозможен помол до 10 мкм
Насыпная плотность2,5–3,5 г/смГОСТ 19440дозирование в реакторзависит от фракции
Температура возгонки610–615 Cтермогравиметриярежим сублимационной очисткипри атмосферном давлении
Содержание AsO 0,5 %йодометриякоррозионная активностьрастёт при хранении

Марки и формы поставки

  • As-1 — мышьяк металлический, не менее 99,0 % As, слитки и дробь.
  • As-2 — не менее 98,0 % As, технический продукт для лигатур.
  • Мышьяк особой чистоты (ОСЧ) 99,99–99,999 % — для полупроводниковой техники.
  • Порошок фракции 40–63 мкм — для реактивов и аналитики.
  • Порошок фракции 100–200 мкм — для металлургических шихт.
  • Гранулированный мышьяк — для безопасного дозирования в расплавы.

Технологическое применение

В металлургии порошок As вводят в расплавы для получения лигатур и модифицирования сплавов на основе свинца и меди. В свинцовых аккумуляторных решётках мышьяк повышает твёрдость и сопротивление ползучести при циклических зарядно-разрядных режимах. В производстве полупроводников из порошка As получают арсенид галлия GaAs методом газофазной эпитаксии и молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ); из него изготавливают СВЧ-транзисторы, лазерные диоды, фотоприёмники ИК-диапазона.

В стекольной промышленности оксид, образующийся при окислении порошка, применяют как осветлитель стекломассы в ванных стекловаренных печах. В пиротехнике и специальных составах порошок As служит компонентом дымовых и трассирующих смесей. В аналитической химии — восстановитель в реакциях Марша и Гутцайта при определении следов арсина.

Условия хранения и обращения

  • Хранение — в сухих вентилируемых складах при 5–25 C, влажность не выше 60 %.
  • Тара — герметичные стальные барабаны или полиэтиленовые ёмкости с инертной подушкой (аргон, азот).
  • Исключить контакт с кислотами и сильными окислителями — выделение арсина AsH.
  • Помещения — с приточно-вытяжной вентиляцией и контролем ПДК (0,01 мг/м в воздухе рабочей зоны).
  • Отходы и упаковка — утилизация по СанПиН как отходы 1-го класса опасности.

Вопросы и ответы

Какая фракция порошка As оптимальна для ввода в свинцовый расплав?

Для лигатур применяют фракцию 100–200 мкм: она обеспечивает контролируемое погружение и равномерное растворение без пирофорного пыления.

Почему порошок мышьяка хранят под инертной подушкой?

На воздухе поверхность частиц окисляется до AsO, что снижает содержание основного вещества и повышает токсичность пыли. Аргон или азот тормозят окисление.

Какой класс опасности у порошкового мышьяка?

Мышьяк и его неорганические соединения относятся к 1-му классу опасности по ГОСТ 12.1.007; ПДК в воздухе рабочей зоны — 0,01 мг/м.

Применяется ли порошок As в полупроводниковом производстве?

Да, как источник мышьяка при синтезе арсенида галлия GaAs и легировании кремниевых структур в процессах диффузии и ионной имплантации.